參數(shù)資料
型號： IXSX50N60AU1S
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-247, 2 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： IXSX50N60AU1S
1997 IXYS All rights reserved
di
F
/dt - A/μs
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t
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R
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max
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100
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0
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4
5
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J
- Degrees C
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80
120
160
N
R
/
r
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Q
r
I
RM
di
F
/dt - A/μs
0
200
400
600
800
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t
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0
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V
F
0
4
8
12
16
20
t
fr
V
FR
Voltage Drop - Volts
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 60A
T
J
= 125°C
I
F
= 60A
T
J
= 100°C
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 60A
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 60A
Fig.14 Junction Temperature Dependence
off I
RM
and Q
r
Fig.15 Reverse Recovery Chargee
Fig.16 Peak Reverse Recovery Current
Fig.17 Reverse Recovery Time
Fig.12 Typical Forward Voltage Drop
Fig.13
Peak Forward Voltage V
FR
and
Forward Recovery Time t
fr
IXSX50N60AU1
IXSX50N60AU1S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTA180N055T Trench Gate Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSX50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXT-1-1N100S1 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXT-1-1N100S1 T/R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXT Series Single N-Channel 1000 V 1.5 A Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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