參數(shù)資料
型號： IXSX50N60AU1S
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-247, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： IXSX50N60AU1S
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXSX50N60AU1
IXSX50N60AU1S
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
= 125°C
R
G
= 22
dV/dt < 6V/ns
Q
g
- nCoulombs
0
50
100
150
200
250
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
0
2
4
6
8
10
t
f
0
200
400
600
800
1000
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
80
t
f
0
250
500
750
1000
E
o
0
3
6
9
12
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.001
0.01
0.1
1
I
C
= 50A
V
CE
= 480V
t
fi
E
off
T
J
= 125°C
R
G
= 10
t
fi
E
off
T
J
= 125°C
I
C
= 50A
IGBT
Diode
Single Pulse
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXTA05N100 N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導(dǎo)通電阻15Ω的N溝道增強(qiáng)型高電壓MOSFET)
IXTA110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTP110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTQ110N055P PolarHT Power MOSFET
IXTA180N055T Trench Gate Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSX50N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX50N60BU1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSX80N60B 功能描述:IGBT 晶體管 80 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXT-1-1N100S1 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXT-1-1N100S1 T/R 制造商:IXYS Corporation 功能描述:IXT Series Single N-Channel 1000 V 1.5 A Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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