參數(shù)資料
型號(hào)： IXSX35N120AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）)
中文描述： 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： PLUS247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： IXSX35N120AU1
4 - 5
2000 IXYS All rights reserved
IXSX 35N120AU1
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9
Gate Charge Characteristic Curve
Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7
Turn-Off Energy per Pulse and
Fall Time on Collector Current
Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Per Pulse and Fall Time on R
G
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse
D=0.2
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
1200
I
C
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 125°C
R
G
= 2.7
dV/dt < 5V/ns
Q
G
- nanocoulombs
0
50
100
150
200
V
G
-
0
3
6
9
12
15
I
C
= 35A
V
CE
= 500V
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
E
o
14
15
16
17
18
t
f
250
500
750
1000
1250
T
J
= 125°C
I
C
= 35A
t
fi
E
off
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
60
70
E
o
5
10
15
20
25
t
f
250
500
750
1000
1250
E
off
t
fi
D = Duty Cycle
T
J
= 125°C
R
G
= 10
D=0.01
D=0.02
D=0.05
D=0.1
D=0.5
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PDF描述
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