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參數(shù)資料
| 型號： | IXSX35N120AU1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為4V的高電壓絕緣柵雙極晶體管(帶二極管）) |
| 中文描述： | 70 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 封裝： | PLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | IXSX35N120AU1 |
2 - 5
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
20
26
S
I
C(on)
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
170
A
C
ies
C
oes
C
res
3900
295
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
60
Q
g
Q
ge
Q
gc
150
40
70
190
60
100
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
ns
ns
mJ
150
400
500
10
900
700
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
80
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
150
8
400
700
15
R
thJC
R
thCK
0.42 K/W
0.15
K/W
Inductive load, T
J
= 125 C
I
= I
, V
= 15 V,
L = 100 H, V
= 0.8 V
, R
= 2.7
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
t 300 s, duty cycle d 2 %, T
J
= 125 C
2.35
V
I
RM
t
rr
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 480 A/ s
V
= 540 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ s; V
R
= 30 V
32
225
40
36
A
T
J
= 100 C
T
J
= 25 C
ns
ns
60
R
thJC
0.65 K/W
Inductive load, T
J
= 25 C
I
= I
, V
= 15 V,
L = 100 H, V
= 0.8 V
, R
= 2.7
Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
PLUS247
TM
(IXSX)
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
Inches
Min. Max.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
IXSX 35N120AU1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXSX50N60AU1 | IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
| IXSX50N60AU1S | IGBT with Diode Combi Pack - Short Circuit SOA Capability |
| IXTA05N100 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻15Ω的N溝道增強型高電壓MOSFET) |
| IXTA110N055P | PolarHT Power MOSFET |
| IXTP110N055P | PolarHT Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXSX35N120AU1S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 70A I(C) | TO-247SMD |
| IXSX35N120BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSX40N60BD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSX40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXSX50N60AU1 | 功能描述:IGBT 75A 600V PLUS247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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