參數(shù)資料
型號： IXST30N60C
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Speed IGBT
中文描述： 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-268AA
封裝： TO-268, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 131K
代理商： IXST30N60C
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
10
S
C
ies
C
oes
C
res
3100
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
240
pF
30
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
100
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
30
nC
38
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
30
ns
30
ns
30N60B
30N60C
150
90
270
150
ns
ns
t
fi
30N60B
30N60C
140
70
270
120
ns
ns
E
off
30N60B
30N60C
1.5
0.7
2.5
1.2
mJ
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
35
ns
35
ns
0.5
mJ
30N60B
30N60C
270
150
ns
ns
t
fi
30N60B
30N60C
250
140
ns
E
off
30N60B
30N60C
2.5
1.2
mJ
mJ
R
thJC
R
thCK
0.62 K/W
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Note 1
TO-247 AD Outline
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
Note 1
IXSH/IXST 30N60B
IXSH/IXST 30N60C
Notes: 1. Switching times may increase for V
CE
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
.
1 = Gate
2 = Collector
3 = Emitter
Tab = Collector
TO-268 Outline
Min Recommended Footprint
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSH30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
IXSK30N60CD1 Short Circuit SOA Capability
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXST30N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 55 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST35N120B 功能描述:IGBT 晶體管 70 Amps 1200V 3.6 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXST40N60B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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IXST45N120B 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 1200V 3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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