參數(shù)資料
型號： IXSN80N60AU1
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為3V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
中文描述： 160 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 96K
代理商： IXSN80N60AU1
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
G
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
BV
CES
I
C
= 3mA
V
GE(th)
I
C
= 8mA
V
GE
- Volts
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
C
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
GE
- Volts
8
9
10
11
12
13
14
15
V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
400
7V
9V
11V
13V
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
11V
7V
9V
13V
V
GE
= 15V
T
J
=25
O
C
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 160A
T
J
= 25
°
C
I
C
= 40A
I
C
= 80A
I
C
= 160A
V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
T
J
= - 40
°
C
Fig.3
Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig.4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig.5 Input Admittance
Fig.6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig.1
Saturation Characteristics
Fig.2 Output Characterstics
IXSN80N60AU1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXSN80N60A High Current IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為3V的大電流絕緣柵雙極晶體管)
IXSN80N60BD1 IGBT with Diode Short Circuit SOA Capability
IXSP16N60 Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSA16N60 Low VCE(sat) IGBT(VCE(sat)典型值為1.8V的絕緣柵雙極晶體管)
IXSR35N120BD1 IGBT with Diode(VCES為1200V，VCE(sat)為3.6V的絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXSN80N60BD1 功能描述:IGBT 晶體管 160 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP10N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP15N120B 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXSP16N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low V CE(sat) IGBT - Short Circuit SOA Capability
IXSP20N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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