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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IXGN320N60A3 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MINIBLOC-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IXGN320N60A3 |
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXGN320N60A3
Fig. 7. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
100
200
300
400
500
600
QG - NanoCoulombs
V
GE
-
V
o
lts
VCE = 300V
I C = 80A
I G = 10mA
Fig. 9. Reverse-Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
300
350
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
VCE - Volts
IC
-
A
m
pere
s
TJ = 125C
RG = 1
dv / dt < 10V / ns
Fig. 8. Capacitance
100
1,000
10,000
100,000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VCE - Volts
C
apac
itan
ce
-
P
ic
o
F
a
rads
f = 1 MHz
Cies
Coes
Cres
Fig. 10. Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.010
0.100
1.000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
Z
(th
)JC
-
C
/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| IXGQ28N120B | |
| IXSE503PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24 |
| IXSE502PC | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20 |
| J1MAWDD-26XP | POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGN400N30A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN400N60A3 | 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN400N60B3 | 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGN40N60CD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGN50N120C3H1 | 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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