參數(shù)資料
型號(hào)： IXGN320N60A3
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MINIBLOC-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 167K
代理商： IXGN320N60A3
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXGN320N60A3
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Min.
Typ.
Max.
g
fs
I
C = 60A, VCE = 10V, Note 1
70
125
S
C
ies
18
nF
C
oes
V
CE = 25V, VGE = 0V, f = 1MHz
985
pF
C
res
150
pF
Q
g(on)
560
nC
Q
ge
I
C = 80V, VGE = 15V, VCE = 0.5 VCES
94
nC
Q
gc
195
nC
t
d(on)
63
ns
t
r
68
ns
t
d(off)
290
ns
t
f
740
ns
t
d(on)
62
ns
t
r
77
ns
t
d(off)
330
ns
t
f
1540
ns
R
thJC
0.17
°C/W
R
thCK
0.05
°C/W
Resistive Load, T
J = 25°
°°°°C
I
C = 80A, VGE = 15V
V
CE = 400V, RG = 1Ω
Note
1. Pulse test, t
≤ 300μs, duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
Resistive Load, T
J = 125°C
I
C = 80A, VGE = 15V
V
CE = 400V, RG = 1Ω
SOT-227B miniBLOC (IXGN)
M4 screws (4x) supplied
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
IXSE502PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20
J1MAWDD-26XP POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGN400N30A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 300V 1.15 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60A3 功能描述:IGBT 晶體管 400 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN400N60B3 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range PT IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGN40N60CD1 功能描述:IGBT 晶體管 75 Amps 600V 2.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGN50N120C3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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