參數(shù)資料
型號: IXGN320N60A3
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
中文描述: 320 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MINIBLOC-4
文件頁數(shù): 3/5頁
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代理商: IXGN320N60A3
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXGN320N60A3
Fig. 1. Extended Output Characteristics @ TJ = 25C
0
40
80
120
160
200
240
280
320
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VCE - Volts
IC
-
Am
p
e
re
s
VGE = 15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 2. Output Characteristics @ TJ = 125C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VCE - Volts
IC
-
A
m
pe
re
s
VGE = 15V
13V
11V
9V
7V
5V
Fig. 3. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
CE
(s
at
)-
N
o
rmal
iz
ed
VGE = 15V
I C = 160A
I C = 80A
Fig. 4. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
56789
10
11
12
13
14
15
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 320A
160A
80A
TJ = 25C
Fig. 5. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
VGE - Volts
IC
-
Am
p
e
re
s
TJ = 125C
25C
- 40C
Fig. 6. Transconductance
0
40
80
120
160
200
240
0
20406080
100
120
140
160
180
200
IC - Amperes
g
fs
-
S
iemen
s
TJ = - 40C
25C
125C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGP48N60A3 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
IXGQ28N120B
IXSE503PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP24
IXSE502PC SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PDIP20
J1MAWDD-26XP POWER/SIGNAL RELAY, SPDT, MOMENTARY, 0.013A (COIL), 26.5VDC (COIL), 351mW (COIL), 1A (CONTACT), THROUGH HOLE-STRAIGHT MOUNT
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參數(shù)描述
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IXGN50N120C3H1 功能描述:IGBT 模塊 High Frequency Range >40khz CIGBT w/Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: