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參數(shù)資料
| 型號： | IXGH40N120A2 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IXGH40N120A2 |
2005 IXYS All rights reserved
IXGH 40N120A2
IXGT 40N120A2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
VCE - Volts
I C
-
A
m
p
e
re
s
VGE = 15V
13V
11V
7V
9V
Fig. 2. Exteded Output Characteristics
@ 25C
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VCE - Volts
I C
-
Am
p
e
re
s
VGE = 15V
13V
7V
11V
9V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
00.5
11.5
22.5
3
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
e
s
VGE = 15V
13V
11V
7V
9V
5V
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Junction Temperature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
CE(
sa
t)
-
No
rm
a
liz
e
d
VGE = 15V
I C = 80A
I C = 40A
I C = 20A
Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage
vs. Gate-to-Emitter Voltage
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
5
6
7
8
9
1011
1213
1415
VGE - Volts
V
CE
-
V
o
lts
I C = 80A
40A
20A
TJ = 25C
Fig. 6. Input Admittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
10.5
VGE - Volts
I C
-
A
m
per
e
s
TJ = - 40C
25C
125C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH40N60B2D1 | |
| IXGL200N60B3 | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| IXGN200N60A2 | |
| IXGN320N60A3 | |
| IXGP48N60A3 | 48 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH40N120B2D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT, Diode 1200V, 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH40N120C3 | 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH40N120C3D1 | 功能描述:IGBT 晶體管 75Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IXGH40N30 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH40N30A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
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