參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH30N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 583K
代理商： IXGH30N60C2
2005 IXYS All rights reserved
IXGH 30N60C2
IXGT 30N60C2
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V
C E - V olts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
5V
7V
9V
11V
13V
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.51
1.5
2
2.5
33.5
V
CE - V olts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.51
1.52
2.53
3.5
V
C E - Volts
I C
-
A
m
per
es
V
GE = 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 4. Dependence of V
CE(sat) on
Tem perature
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
25
50
75
100
125
150
T
J - Degrees Centigrade
V
C
E
(sa
t )-
N
orm
al
iz
ed
IC = 24A
IC = 12A
V
GE = 15V
I
C = 48A
Fig. 5. Collector-to-Em itter Voltage
vs. Gate-to-Em itter voltage
2
2.5
3
3.5
4
4.5
56789
10 11
12 13 14 15 16 17
V
G E - Volts
V
C
E
-
V
ol
ts
TJ = 25C
I
C = 48A
24A
12A
Fig. 6. Input Adm ittance
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
34
567
89
10
11
12
V
G E - V olts
I C
-
A
m
pe
re
s
TJ = 25C
125C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH32N170A
IXGH32N90B2
IXGH40N120A2
IXGH40N60B2D1
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C2D1SN 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXGH30N60C2D4 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A2,B2,C2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C3 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*