參數(shù)資料
型號(hào)： IXGH30N60C2
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 70 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 583K
代理商： IXGH30N60C2
IXGH 30N60C2
IXGT 30N60C2
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J = 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
C
= 24 A; V
CE = 10 V,
18
28
S
Pulse test, t
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
C
ies
1430
pF
C
oes
V
CE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
110
pF
C
res
40
pF
Q
g
70
nC
Q
ge
I
C = 24 A, VGE = 15 V, VCE = 300 V
10
nC
Q
gc
23
nC
t
d(on)
13
ns
t
ri
15
ns
t
d(off)
70
140
ns
t
fi
60
ns
E
off
0.29
0.30 mJ
t
d(on)
13
ns
t
ri
17
ns
E
on
0.22
mJ
t
d(off)
120
ns
t
fi
130
ns
E
off
0.59
mJ
R
thJC
0.65 K/W
R
thCK
(TO-247)
0.25
K/W
Inductive load, T
J = 25°
°°°°C
I
C = 24 A, VGE = 15 V
V
CE = 400 V, RG = 5
Inductive load, T
J = 125°
°°°°C
I
C = 24 A, VGE = 15 V
V
CE = 400 V, RG = 5
TO-247 AD Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min.
Max.
Min. Max.
A
4.7
5.3
.185
.209
A
1
2.2
2.54
.087
.102
A
2
2.2
2.6
.059
.098
b
1.0
1.4
.040
.055
b
1
1.65
2.13
.065
.084
b
2
2.87
3.12
.113
.123
C
.4
.8
.016
.031
D
20.80
21.46
.819
.845
E
15.75
16.26
.610
.640
e
5.20
5.72
0.205 0.225
L
19.81
20.32
.780
.800
L1
4.50
.177
P
3.55
3.65
.140
.144
Q
5.89
6.40
0.232 0.252
R
4.32
5.49
.170
.216
S
6.15 BSC
242 BSC
e
P
Min. Recommended Footprint
(Dimensions in inches and mm)
TO-268 Outline
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123B1
6,534,343
6,710,405B2
6,759,692
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6771478B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH32N170A
IXGH32N90B2
IXGH40N120A2
IXGH40N60B2D1
IXGL200N60B3 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH30N60C2D1 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 600V 2.7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C2D1SN 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
IXGH30N60C2D4 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A2,B2,C2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH30N60C3 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH30N60C3C1 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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