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參數(shù)資料
| 型號： | IXGH28N120BD1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | IXGH28N120BD1 |
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 17. Maxim um Trans ie nt The rm al Re s istance
0.10
1.00
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
R
(t
h)
J
C
-
C
/
W
0.50
Fig. 14. Gate Charge
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1020
3040
5060
70
80
90
100
Q G - nanoCoulombs
V
G
E
-
V
ol
ts
VCE = 600V
I C = 28A
I G= 10mA
Fig. 15. Capacitance
10
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
VC E - Volts
C
ap
ac
ita
nc
e-
p
F
Cies
Coes
Cres
f = 1 MHz
Fig. 13. De pe nde nce of Turn-off
Sw itching Tim e on Tem pe rature
100
150
200
250
300
350
400
450
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
TJ - Degrees Centigrade
S
w
itc
hi
ng
T
im
e-
na
nos
ec
ond
s
IC = 14A
td(off)
tfi - - - - - -
RG = 5
VGE = 15V
VCE = 960V
IC = 28A
IC = 14A
IC = 56A
Fig. 16. Re ve rs e -Bias Safe
Operating Area
0
20
40
60
80
100
120
140
100
300
500
700
900
1100
1300
VC E - Volts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
RG = 5
dV/dT < 10V/ns
IXGH28N120BD1
IXGT28N120BD1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGH30N60C2 | |
| IXGH32N170A | |
| IXGH32N90B2 | |
| IXGH40N120A2 | |
| IXGH40N60B2D1 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXGH28N140B3H1 | 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| IXGH28N30 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH28N30A | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
| IXGH28N30AS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD |
| IXGH28N30B | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT |
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