參數(shù)資料
型號(hào): IXGH28N120BD1
廠(chǎng)商: IXYS CORP
元件分類(lèi): IGBT 晶體管
中文描述: 50 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝: TO-247AD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商: IXGH28N120BD1
2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
Fig. 2. Exte nde d Output Characte ris tics
@ 25
C
0
30
60
90
120
150
180
210
240
0
2
4
6
8
1012
1416
1820
VC E - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 17V
7V
9V
11V
13V
15V
Fig. 3. Output Characte ris tics
@ 125
C
0
7
14
21
28
35
42
49
56
11.522.533.544.5
5
VCE - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
7V
5V
9V
Fig. 1. Output Characte ris tics
@ 25
C
0
7
14
21
28
35
42
49
56
11.522.533.544.5
5
VC E - Volts
I C
-
A
m
per
es
VGE = 15V
13V
11V
5V
7V
9V
Fig. 4. De pe nde nce of VCE(sat) on
Te m pe rature
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ - Degrees Centigrade
V
C
E
(s
at
)-
N
or
m
al
iz
ed
IC = 28A
IC = 14A
VGE = 15V
IC = 56A
Fig. 5. Colle ctor-to-Em itte r Voltage
vs . Gate -to-Em itte r voltage
2
3
4
5
6
7
8
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
VG E - Volts
V
C
E
-V
ol
ts
TJ = 25C
IC = 56A
28A
14A
Fig. 6. Input Adm ittance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
4
5678
9
10
VG E - Volts
I C
-
A
m
per
es
TJ = 125C
25
C
-40
C
IXGH28N120BD1
IXGT28N120BD1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH30N60C2
IXGH32N170A
IXGH32N90B2
IXGH40N120A2
IXGH40N60B2D1
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH28N140B3H1 功能描述:IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGH28N30 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH28N30A 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT
IXGH28N30AS 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 56A I(C) | TO-247SMD
IXGH28N30B 制造商:IXYS 制造商全稱(chēng):IXYS Corporation 功能描述:HiPerFAST IGBT