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參數(shù)資料
| 型號： | IXER60N120 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | NPT3 IGBT |
| 中文描述： | 95 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOPLUS247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | IXER60N120 |
2 - 2
2002 IXYS All rights reserved
IXER 60N120
ISOPLUS 247 OUTLINE
Dim.
Millimeter
Min.
4.83
2.29
1.91
1.14
1.91
2.92
0.61
20.80
15.75
e 5.45 BSC
L
19.81
L1
3.81
Q
5.59
R
4.32
S
13.21
T
15.75
U
1.65
Inches
Min.
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
.520 .540
.620 .640
.065 .080
Max.
5.21
2.54
2.16
1.40
2.13
3.12
0.80
21.34
16.13
Max.
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
20.32
4.32
6.20
4.83
13.72
16.26
3.03
1 Gate, 2 Drain (Collector)
3 Source (Emitter)
4 no connection
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+150
-55...+125
°
C
°
C
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
F
C
mounting force with clip
20...120
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
C
p
coupling capacity between shorted
pins and mounting tab in the case
30
pF
Weight
6
g
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFA4N100Q | N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(最大漏源擊穿電壓1000V,導通電阻3.0Ω的N溝道增強型HiPerFET功率MOSFET) |
| IXFC15N80Q | HiPerFET ISOPLUS 220 MOSFET Q-Class Electrically Isolated Back Surface |
| IXFC24N50 | HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220 |
| IXFC26N50 | HiPerFET MOSFETs ISOPLUS220 |
| IXFC52N30P | PolarHTTM HiPerFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXER60N120_06 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:NPT3 IGBT in ISOPLUS 247 |
| IXF | 制造商:ILSI 制造商全稱:ILSI America LLC 功能描述:Crystal Filter 3 Lead Metal Package |
| IXF1002A8B_DAB6 WAF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| IXF1002AQ8B DIE UP ENG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| IXF1002AQ8B WAF ENG | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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