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參數(shù)資料
| 型號： | IRS2336DJTRPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| 中文描述： | 3相高壓柵極驅(qū)動器集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 36/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | IRS2336DJTRPBF |
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IRS2336xD Family
www.irf.com
2007 International Rectifier
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Figure 42: t
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Figure 43: t
EN
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Figure 44: MT vs. temperature
Figure 45: MDT vs. temperature
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Figure 46: PM vs. temperature
Figure 47: I
ITRIP+
vs. temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRS23364D | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS23364DJPBF | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS23364DJTRPBF | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS23364DPBF | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS23364DSPBF | HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRS2336DMPBF | 功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 48-MLPQ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) 系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導(dǎo)啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 |
| IRS2336DMTRPBF | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IRS2336DPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
| IRS2336DSPBF | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 3-Phase Gate DRVR 600V 200mA 275ns RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| IRS2336DSTRPBF | 功能描述:功率驅(qū)動器IC 600V 3Phs Drvr IC w/Intgr BSF & Prot RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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