參數(shù)資料
型號： IRLU4343
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 255K
代理商： IRLU4343
4
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 10.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 9.
Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
IS
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
25
50
75
100
125
150
175
TJ , Junction Temperature (°C)
0
5
10
15
20
25
30
ID
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
VG
ID = 250μA
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
T
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
Ri (°C/W)
τ
i (sec)
1.359 0.00135
0.5409 0.003643
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
R
1
R
1
R
2
R
2
τ
τ
C
Ci
i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU4343-701 DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLR7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLR7811WPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLR7811W SMPS MOSFET
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IRLU7807ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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