參數(shù)資料
型號： IRLU4343
廠商： International Rectifier
英文描述： DIGITAL AUDIO MOSFET
中文描述： 數(shù)字音頻MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： IRLU4343
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
55
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
8.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
15
42
57
–––
-4.4
–––
–––
–––
–––
–––
28
3.5
9.5
15
5.7
19
23
5.3
740
150
59
250
4.5
Max. Units
–––
–––
50
65
–––
–––
2.0
25
100
-100
–––
42
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
mV/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Effective Output Capacitance
Internal Drain Inductance
nA
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
godr
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
L
D
S
V
GS
= 10V
I
D
= 19A
See Fig. 6 and 19
V
DD
= 28V, V
GS
= 10V
I
D
= 19A
R
G
= 2.5
ns
pF
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
nH
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
26
I
S
@ T
C
= 25°C Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
A
–––
–––
80
–––
–––
–––
–––
52
100
1.2
78
150
V
ns
nC
V
DS
= 25V, I
D
= 19A
V
DS
= 44V
integral reverse
p-n junction diode.
= 1.0MHz, See Fig.5
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to -44V
MOSFET symbol
showing the
See Fig. 14, 15, 17a, 17b
Typ.
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.7A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.8A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
T
J
= 25°C, I
S
= 19A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 19A
di/dt = 100A/μs
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
Conditions
Max.
160
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLU4343-701 DIGITAL AUDIO MOSFET
IRLR7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZCPBF HEXFET Power MOSFET
IRLR7811WPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLR7811W SMPS MOSFET
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IRLU4343PBF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRLU7807Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRLU7807ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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