參數(shù)資料
型號(hào)： IRLRU3103PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大?。?/td> 295K
代理商： IRLRU3103PBF
IRLR/U3103PbF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
10V
0
100
200
300
400
500
600
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 15V
I
TOP 14A
24A
BOTTOM 34A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLZ14 RES 1.50K OHM 1/16W .1% SMD 0402
IRLZ14L Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
IRLZ14S Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
IRLZ14SL Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=10A)
IRLZ24NLPBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRLRU3410 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Logic Level Gate Drive / Fully Avalanche Rated
IRLS 3036PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk
IRLS0Z0 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-243
IRLS250A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLS3034-7PPBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 120nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*