參數(shù)資料
型號(hào)： IRLMS2002PBF
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 162K
代理商： IRLMS2002PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
5.3A
V
= 10V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
°
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
1ms
10ms
1
10
100
0
400
800
1200
1600
2000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLMS4502 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRLR120PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR3410PBF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRLU3410PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
IRLR3705ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRLMS2002TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 6.5A 6PIN MICRO6 - Tape and Reel
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