參數(shù)資料
型號(hào)： IRLMS4502
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： IRLMS4502
Parameter
Max.
-12
-5.5
-4.4
-44
1.7
1.1
0.013
28
± 12
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
W/°C
mJ
V
°C
E
AS
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to + 150
9/10/99
Parameter
Max.
75
Units
°C/W
R
θ
JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
1
IRLMS4502
HEXFET
Power MOSFET
These P-Channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications.
The Micro6
package with its customized leadframe
produces a HEXFET
power MOSFET with R
DS(on)
60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R
DS(on)
reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
V
DSS
= -12V
R
DS(on)
= 0.042
Description
l
Ultra Low On-Resistance
l
P-Channel MOSFET
l
Surface Mount
l
Available in Tape & Reel
Top View
1
2
D
G
A
D
D
D
S
3
4
5
6
PD- 93759
Micro6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLR120PBF HEXFET Power MOSFET
IRLR3410PBF Asynchronous SRAM; Organization (word): 1M; Organization (bit): x 4; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (32); Status:   Remarks:  
IRLU3410PbF Asynchronous SRAM; Organization (word): 512K; Organization (bit): x 8; Memory capacity (bit): 4M; Access time (ns): 12; Supply voltage (V): 4.5 to 5.5; Operating temperature (°C): 0 to 70; Package: SOJ (36); Status:   Remarks:  
IRLR3705ZPBF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
IRLU3705ZPbF AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRLMS5703TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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