參數(shù)資料
型號： IRLI630G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 6.2A）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 337K
代理商： IRLI630G
IRLI630G
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
5.0 V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
A
A
P
t2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + T
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
25
50
T , Case Temperature (°C)
75
100
125
150
I
D
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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