參數(shù)資料
型號(hào)： IRLI630G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 6.2A）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 337K
代理商： IRLI630G
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
IRLI630G
Fig 1.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 25
o
C
Fig 2.
Typical Output Characteristics,
T
C
= 150
o
C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
2.25V
20μs PULSE WIDTH
Tc
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
D
VDS
VGS
2.25V
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
0.01
0.1
1
10
100
2.0
2.5
V , Gate-to-Source Voltage (V)
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
I
V = 50V
20μs PULSE WIDTH
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
V = 5.0V
I = 9.0A
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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