參數(shù)資料
型號： IRLI620
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.80ohm，身份證\u003d 4.0a上）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRLI620
IRLI620G
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
500
1000
1500
2000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V
G
I = 5.2A
V = 160V
V = 100V
V = 40V
A
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
100μs
1ms
10ms
100ms
A
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PDF描述
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