參數(shù)資料
型號： IRL2203S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.007ohm, Id=100A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.007ohm，身份證\u003d 100號A）
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 173K
代理商： IRL2203S
IRL2203S
Package Outline — D
2
Pak
Dimensions are shown in millimeters (inches)
PART NUMBER
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRF1010
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9B1M
W ITH ASSEM BLY
LOT CODE 9B1M
ASSEMBLY
LOT CODE
LOT CODE
DATE CODE
(YYW W)
YY = YEAR
W W = W EEK
W W = W EEK
9246
IRF1010
9B 1M
9B 1M
A
Part Marking
9246
EXAM PLE : THIS IS AN IRF530S
A
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL2203 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203N Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203NL Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203NS Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2703 HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRL2203STRL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL2203STRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL229F10 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk
IRL229F20 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk
IRL229F40 制造商:Amphenol PCD 功能描述:DIN-RAIL INTERFACE MODULE PRODUCT -SEE CATALOG - Bulk
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