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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHY7130CM |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| 中文描述： | 的HEXFET晶體管（之HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 97K |
| 代理商： | IRHY7130CM |
IRHY7130CM, IRHY8130CM, JANSR-, JANSH-, 2N7380 Devices
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Pre-Radiation
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
VDS
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
14 A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
VDS
D
I
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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