參數(shù)資料
型號： IRG4PC60F-PPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Fast Speed IGBT)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（IGBT的速度快）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 242K
代理商： IRG4PC60F-PPBF
IRG4PC60F-PPbF
6
www.irf.com
$(
$%#
30
50
70
90
110
130
IC, Collector Current (A)
0.0
10.0
20.0
30.0
T
RG = 5.0
TJ = 150°C
VGE = 15V
VCC = 480V
0.1
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
IC
VGE = 20V
TJ = 125°
SAFE OPERATING AREA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC60FPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT
IRG4PC60U-PPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PF50W Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
IRG4PH40KDPBF INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH50KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PC60U 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60U-P 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC60UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC60U-PPBF 功能描述:IGBT ULT FAST 600V 75A TO247AC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PE40FD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
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