參數(shù)資料
型號(hào): IRFZ48NL
廠商: International Rectifier
英文描述: 55V,64A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,64A,N溝道 HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述: 55V的,64A條,N溝道HEXFET功率MOSFET(55V的,64A條,?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管)
文件頁數(shù): 6/10頁
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代理商: IRFZ48NL
IRFZ48NS/L
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
V
DS
L
D.U.T.
V
DD
I
AS
t
p
0.01
R
G
+
-
t
p
V
DS
I
AS
V
DD
V
(BR)DSS
10 V
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
100
200
300
400
500
600
700
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 25V
I
TOP 13A
22A
BOTTOM 32A
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ48N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFZ48VSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFZ48V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A)
IRG4BC20KD-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULRTAFAST SOFR RECOVERY DIODE
IRG4BC30K-SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Ciruit Rated UltraFast IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ48NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ48NPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes
IRFZ48NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ48NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Bulk