參數(shù)資料
型號： IRFZ48NL
廠商： International Rectifier
英文描述： 55V,64A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,64A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 55V的，64A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（55V的，64A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/10頁
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代理商： IRFZ48NL
IRFZ48NS/L
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 32A
V = 44V
V = 28V
0.1
1
10
100
1000
0.2
0.6
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
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PDF描述
IRFZ48N N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFZ48NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRFZ48NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 64A 3PIN D2PAK - Bulk
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