采購(gòu)需求
(若只采購(gòu)一條型號(hào),填寫一行即可)*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|
添加更多采購(gòu)
型號(hào): | IRFZ44R |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=50*A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的,的Rds(on)\u003d 0.028ohm,身份證\u003d 50 *甲) |
文件頁(yè)數(shù): | 7/8頁(yè) |
文件大小: | 153K |
代理商: | IRFZ44R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFZ44VLPbF | HEXFET Power MOSFET |
IRFZ44VSPBF | HEXFET Power MOSFET |
IRFZ44VPBF | Ultra Low On-Resistance |
IRFZ44V | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A) |
IRFZ44Z | RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
IRFZ44R_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFZ44RPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ44RSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFZ44S | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 50 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ44S_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
*型號(hào) | *數(shù)量 | 廠商 | 批號(hào) | 封裝 |
---|---|---|---|---|
|