參數(shù)資料
型號： IRFZ44VPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Ultra Low On-Resistance
中文描述： 超低導通電阻
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： IRFZ44VPBF
IRFZ44VPbF
HEXFET
Power MOSFET
11/10/03
Parameter
Max.
55
39
220
115
0.77
± 20
115
55
11
4.5
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.3
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
1
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 16.5m
I
D
= 55A
S
D
G
TO-220AB
Advanced HEXFET
Power MOSFETs from International
Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs
are well known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220 contribute
to its wide acceptance throughout the industry.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Optimized for SMPS Applications
Lead-Free
Description
PD - 94826
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
IRFZ44Z RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ44ZL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ44ZS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ46NLPbF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 55A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 55A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
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IRFZ44VSTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44VSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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