參數(shù)資料
型號: IRFZ44VPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Ultra Low On-Resistance
中文描述: 超低導(dǎo)通電阻
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大小: 158K
代理商: IRFZ44VPBF
IRFZ44VPBF
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 175 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T , Junction Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
55A
1
10
100
1000
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 175 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
IRFZ44Z RES 510-OHM 5% 0.25W 200PPM THICK-FILM SMD-1206 5K/REEL-7IN-PA
IRFZ44ZL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ44ZS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=13.9mohm, Id=51A)
IRFZ46NLPbF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 60V 55A D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 60V, 55A, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Single N-Channel 60 V 115 W 67 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
IRFZ44VSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44VSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件