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參數(shù)資料
| 型號： | IRFU3706 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | LEAD FREE, IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大小： | 220K |
| 代理商： | IRFU3706 |
IRFR/U3706
2
www.irf.com
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
IS
Continuous Source Current
MOSFET symbol
(Body Diode)
–––
showing the
ISM
Pulsed Source Current
integral reverse
(Body Diode)
–––
p-n junction diode.
–––
0.88
1.3
V
TJ = 25°C, IS = 36A, VGS = 0V
–––
0.82
–––
TJ = 125°C, IS = 36A, VGS = 0V
trr
Reverse Recovery Time
–––
45
68
ns
TJ = 25°C, IF = 36A, VR=20V
Qrr
Reverse Recovery Charge
–––
65
98
nC
di/dt = 100A/s
trr
Reverse Recovery Time
–––
49
74
ns
TJ = 125°C, IF = 36A, VR=20V
Qrr
Reverse Recovery Charge
–––
78
120
nC
di/dt = 100A/s
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
V
VGS = 0V, ID = 250A
V(BR)DSS/TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.021
–––
V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA
–––
6.9
9.0
VGS = 10V, ID = 15A
–––
8.1
11
m
VGS = 4.5V, ID = 12A
–––
11.5
23
VGS = 2.8V, ID = 7.5A
VGS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
2.0
V
VDS = VGS, ID = 250A
–––
20
A
VDS = 16V, VGS = 0V
–––
100
VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 125°C
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
200
VGS = 12V
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
-200
nA
VGS = -12V
Dynamic @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
ns
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
EAS
Single Pulse Avalanche Energy
–––
220
mJ
IAR
Avalanche Current
–––
28
A
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
75
280
A
VSD
Diode Forward Voltage
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
IGSS
IDSS
Drain-to-Source Leakage Current
RDS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Forward Transconductance
53
–––
S
VDS = 16V, ID = 57A
Qg
Total Gate Charge
–––
23
35
ID = 28A
Qgs
Gate-to-Source Charge
–––
8.0
12
nC
VDS = 10V
Qgd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
–––
5.5
8.3
VGS = 4.5V
Qoss
Output Gate Charge
–––
16
24
VGS = 0V, VDS = 10V
Rg
Gate Resistance
–––
1.8
–––
td(on)
Turn-On Delay Time
–––
6.8
–––
VDD = 10V
tr
Rise Time
–––
87
–––
ID = 28A
td(off)
Turn-Off Delay Time
–––
17
–––
RG = 1.8
tf
Fall Time
–––
4.8
–––
VGS = 4.5V
Ciss
Input Capacitance
–––
2410 –––
VGS = 0V
Coss
Output Capacitance
–––
1070 –––
pF
VDS = 10V
Crss
Reverse Transfer Capacitance
–––
140
–––
= 1.0MHz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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