參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU3706
元件分類： JFETs
英文描述： 75 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
封裝： LEAD FREE, IPAK-3
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 220K
代理商： IRFU3706
www.irf.com
1
12/10/04
IRFR3706
IRFU3706
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
VDSS
RDS(on) max
ID
20V
9.0m
75A
Notes
through are on page 10
D-Pak
I-Pak
IRFR3706
IRFU3706
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Max.
Units
VDS
Drain-Source Voltage
20
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
± 12
V
ID @ TC = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
75
ID @ TC = 100°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
53
A
IDM
Pulsed Drain Current
280
PD @TC = 25°C
Maximum Power Dissipation
88
W
PD @TC = 100°C
Maximum Power Dissipation
44
W
Linear Derating Factor
0.59
mW/°C
TJ , TSTG
Junction and Storage Temperature Range
-55 to + 175
°C
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC
Junction-to-Case
–––
1.7
RθJA
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
–––
50
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
–––
110
Thermal Resistance
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Applications
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
PD - 93933B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFY140C 16 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA
IRFZ32 25 A, 50 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFZ44VZ 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRG4BC20MD-S 18 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
IRG4RC20FPBF 22 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU3706-701PBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3706CPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU3706PBF 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU3707 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3707PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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