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參數(shù)資料
| 型號： | IRFR5505 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | P通道表面貼裝HEXFET功率MOSFET的性（P溝道表貼型的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IRFR5505 |
IRFR/U5505
Tape & Reel Information
TO-252AA
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEE D DIREC TION
FEE D DIREC TION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
N OTES :
1. CONTRO LLING DIM ENS ION : M ILLIM ETER.
2. ALL DIME NSIONS ARE S HOW N IN M ILLIM ETE RS ( IN CHES ).
3. OUTLINE CON FOR MS TO E IA -481 & E IA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORM S TO EIA-481.
16 m m
13 INC H
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFRU6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFU6215 | CAP 0.22UF 25V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
| IRFR6215 | Power MOSFET(Vdss=-150V, Rds(on)=0.295ohm, Id=-13A) |
| IRFRU9024N | Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A) |
| IRFU9024N | CAP 0.22UF 50V 10% X7R SMD-1206 TR-7-PL 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR5505CPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR5505CTRLPBF | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFR5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
| IRFR5505GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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