參數(shù)資料
型號： IRFR110
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 4.7 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： IRFR110
4-375
FIGURE 10. DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D
= 250
μ
A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
1.25
1.15
1.05
0.95
0.85
0.75
N
B
C
RSS
C
OSS
C
ISS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= CGS + CGD
C
RSS
= CGD
C
OSS
≈
CDS + CGS
500
400
300
200
100
0
1
10
10
2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
4
6
8
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= 25
o
C
T
J
= 175
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
T
J
= 175
o
C
T
J
= 25
o
C
1.0
0.1
0
0.4
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
0.8
1.2
1.6
2.0
I
S
,
10
10
2
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
I
D
= 5.6A
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
IRFR110, IRFU110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU120N HEXFET Power MOSFET
IRFR120N HEXFET Power MOSFET
IRFU13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFR13N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A)
IRFU13N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR110_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR1109A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFR110A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
IRFR110ATF 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR110ATM 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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