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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFN350 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET N溝道（BVdss \u003d為400V，的Rds（on）\u003d 0.315ohm，身份證\u003d 14A條） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 212K |
| 代理商： | IRFN350 |
IRFN350 Device
Fig. 12c — Max. Avalanche Energy vs. Current
Fig. 13a — Gate Charge Test Circuit
Fig. 12a — Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b — Unclamped Inductive Waveforms
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T = P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
(THSINGLE PULSE
Fig. 11 — Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case Vs. Pulse Duration
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFN3710 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) |
| IRFN440 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) |
| IRFN450 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A) |
| IRFNG40 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=3.9A) |
| IRFNG50 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFN3710 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) |
| IRFN440 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 8A 3SMD-1 - Bulk |
| IRFN450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 12A 3SMD-1 - Bulk |
| IRFN5210 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFN9130SMD05 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:P-Channel |
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