參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIZ44N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.024ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： IRFIZ44N
IRFIZ44N
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
500
1000
1500
2000
2500
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
70
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 44V
V = 28V
I = 25A
1
10
100
1000
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T = 25°C
V = 0V
GS
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIZ48VPBF HEXFET Power MOSFET
IRFIZ48V Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=39A)
IRFIZ48 Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A)
IRFIZ48G Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=37A)
IRFK6H054 ISOLATED BASE POWER HEX-PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP
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參數(shù)描述
IRFIZ44NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
IRFIZ44NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 28A 24mOhm 43.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIZ46G 功能描述:MOSFET N-CH 50V TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFIZ46N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFIZ46NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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