參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIZ44N
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.024ohm, Id=31A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 55V的，的Rds（on）\u003d 0.024ohm，身份證\u003d 31A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 106K
代理商： IRFIZ44N
IRFIZ44N
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
A
4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
1
10
100
1000
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
A
V = 25V
20μs PULSE W IDTH
T = 175°C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 41A
–––
J
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PDF描述
IRFIZ48VPBF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFIZ46NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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