參數(shù)資料
型號： IRFD9220
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
中文描述： 600 mA, 200 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： IRFD9220
4-55
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 12. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 13. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
4
3
2
1
00
-1
-2
-3
-4
-5
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
V
DS
≥
I
D(ON)
x r
DS(ON)MAX
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-0.8
-1.4
-0.1
-1.0
-10
I
S
,
-100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX.
0
-5
-10
0
4
8
12
16
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= -3.6A
20
-15
-20
V
DS
= -40V
V
DS
= -100V
V
DS
= -160V
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
IRFD9220
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PDF描述
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參數(shù)描述
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