參數(shù)資料
型號： IRFD420
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）\u003d 3.0ohm，身份證\u003d 0.37A）
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 468K
代理商： IRFD420
IRFD420
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
I
D
,
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相關PDF資料
PDF描述
IRFD9020 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9022 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9120 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET(1.0A, 100V, 0.6 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
IRFD9220 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9220 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-0.56A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD420PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9012 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
IRFD9014 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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