參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA1404
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 3.7mohm，身份證\u003d 206A）
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFBA1404
IRFBA1404P
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
0
20
40
60
80
100
IAV , Avalanche Current ( A)
40
42
44
46
48
50
VD
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
BOTTOM
ID
39A
67A
95A
TOP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA1404P Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBL17N50L HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開關(guān)模式電源))
IRFBL18N50K HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開關(guān)模式電源))
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參數(shù)描述
IRFBA1404P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1404PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1405 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1405PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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