參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA1404
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）\u003d 3.7mohm，身份證\u003d 206A）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFBA1404
IRFBA1404P
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
–––
0.036 –––
–––
–––
2.0
–––
106
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
160
–––
35
–––
42
–––
17
–––
140
–––
72
–––
26
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 95A
V
DS
= 10V, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 60A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 95A
V
DS
= 32V
V
GS
= 10V
V
DD
= 20V
I
D
= 95A
R
G
= 2.5
R
D
= 0.21
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 32V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 32V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
m
V
S
3.7
4.0
–––
20
250
200
-200
200
–––
60
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7360
1680
240
6630
1490
1540
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
2.0
5.0
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 95A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 95A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
71
180
1.3
110
270
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
206
650
A
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
Max.
0.50
–––
58
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBA1404P Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBL17N50L HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開(kāi)關(guān)模式電源))
IRFBL18N50K HEXFET Power MOSFET(SMPS)(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用于開(kāi)關(guān)模式電源))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBA1404P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1404PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBA1405 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBA1405PPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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