參數(shù)資料
型號： IRF9Z24L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 60V的，的Rds（on）\u003d 0.28ohm，身份證\u003d- 11A條）
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 311K
代理商： IRF9Z24L
IRF9Z24S/L
D
2
Pak Package Outline
D
2
Pak
Part Marking Information
10.16 (.400)
REF.
6.47 (.255)
6.18 (.243)
2.61 (.103)
2.32 (.091)
8.89 (.350)
REF.
- B -
1.32 (.052)
1.22 (.048)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
1.39 (.055)
1.14 (.045)
5.28 (.208)
4.78 (.188)
4.69 (.185)
4.20 (.165)
10.54 (.415)
10.29 (.405)
- A -
2
1 3
15.49 (.610)
14.73 (.580)
3X
0.93 (.037)
0.69 (.027)
5.08 (.200)
3X1.14 (.045)
1.78 (.070)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
MAX.
NOTES:
1 DIMENSIONS AFTER SOLDER DIP.
2 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
3 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
4 HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.
0.55 (.022)
0.46 (.018)
0.25 (.010) M B A M
MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT
11.43 (.450)
8.89 (.350)
17.78 (.700)
3.81 (.150)
2.08 (.082)
2X
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
2.54 (.100)
2X
PART NUMBER
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
DATE CODE
(YYWW )
YY = YEAR
WW = WEEK
ASSEMBLY
LOT CODE
F530S
9B 1M
9246
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z24S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24N Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24 POWER MOSFET
IRF9Z24NL Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24NS Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
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參數(shù)描述
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IRF9Z24NLPBF 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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