參數(shù)資料
型號： IRF9Z24L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 60V的，的Rds（on）\u003d 0.28ohm，身份證\u003d- 11A條）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 311K
代理商： IRF9Z24L
IRF9Z24S/L
V
DD
= -25V
,
starting T
J
= 25°C, L = 2.3mH
R
G
= 25
, I
AS
= -11A. (See Figure 12)
I
SD
≤
-11A, di/dt
≤
140A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Notes:
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Uses IRF9Z24 data and test conditions
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -11A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
100
320
-6.3
200
640
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-60
–––
––– -0.056 –––
–––
–––
-2.0
–––
1.4
–––
–––
––– -100
–––
––– -500
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
–––
68
–––
15
–––
29
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
=-1mA
V
GS
=-10V, I
D
= -6.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -25V, I
D
= -6.6A
V
DS
= -60V, V
GS
= 0V
V
DS
= -48V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -11A
V
DS
= -48V
V
GS
= -10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= -30V
I
D
= -11A
R
G
= 18
R
D
= 2.5
,
See Fig. 10
Between lead,
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
S
0.28
-4.0
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
-100
100
19
5.4
11
–––
–––
–––
–––
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
570
360
65
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
ns
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nH
7.5
L
S
Internal Source Inductance
-11
-44
S
D
G
相關PDF資料
PDF描述
IRF9Z24S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24N Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24 POWER MOSFET
IRF9Z24NL Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24NS Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9Z24LPBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRF9Z24N 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TO-220
IRF9Z24NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9Z24NL 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF9Z24NLPBF 功能描述:MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*