參數(shù)資料
型號(hào): IRF9952
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=+-30V)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d - 30V的)
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大?。?/td> 134K
代理商: IRF9952
IRF9952
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 10.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 9.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
N-Channel
0
50
100
150
200
250
300
350
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
Q , Total Gate Charge (nC)
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
V
G
I =
1.8A
V
= 10V
DS
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9953 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)
IRF9Z14S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z14 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A)
IRF9Z24L Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24S Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9952PBF 功能描述:MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9952QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9952QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET
IRF9952QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9952TR 功能描述:MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR