參數(shù)資料
型號： IRF9510
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 3 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 59K
代理商： IRF9510
5-7
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.85
80
-40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
1.15
0.95
0.75
0
40
120
160
B
0
-10
V
DS,
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-20
-30
-40
-50
C
500
400
300
200
100
0
C
RSS
C
ISS
C
OSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
I
D,
DRAIN CURRENT (A)
-1.2
-2.4
-3.6
-4.8
0
-6.0
2.5
2.0
1.5
0
1.0
g
f
,
80
μ
s PULSE TEST
0.5
V
DS
>
I
D(ON)
x R
DS(ON) MAX.
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-10
2
-10
-1
-0.1
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.8
-1.4
-1.6
Q
g(TOT),
TOTAL GATE CHARGE (nC)
2
4
6
8
0
10
-15
0
-10
V
G
-5
V
DS
= -20V
V
DS
= -50V
I
D
= -4A
V
DS
= -80V
IRF9510
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PDF描述
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