參數(shù)資料
型號： IRF9510
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 3 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 59K
代理商： IRF9510
5-6
FIGURE 4. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 6. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 7. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 8. DRAIN TO SOURCE ON RESISTANCE vs GATE
VOLTAGE AND DRAIN CURRENT
FIGURE 9. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE ON
RESISTANCE vs JUNCTION TEMPERATURE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
10
1
1
10
10
2
0.1
I
D
,
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
100ms
DC
T
J
= MAX RATED
T
C
= 25
o
C
OPERATION IN THIS
REGION IS LIMITED
BY r
DS(ON)
I
D
,
0
-10
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-20
-30
-40
-1
-2
-3
-4
-5
-50
0
V
GS
= -5V
V
GS
= -7V
V
GS
= -8V
V
GS
= -10V
V
GS
= -9V
V
GS
= -6V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
-1
0
-2
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-4
-6
-10
-2
-3
I
D
,
-4
-8
-5
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= -5V
V
GS
= -7V
V
GS
= -8V
V
GS
= -9V
V
GS
= -10V
V
GS
= -6V
-12.0
I
D
,
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-9.6
-7.2
-4.8
0
-8
-6
-4
-2
0
-10
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
-2.4
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
> I
D(ON)
x R
DS(ON)MAX.
T
J
= 125
o
C
-16
I
D,
DRAIN CURRENT (A)
-4
-8
-12
0
-20
5
4
3
0
2
r
D
,
V
GS
= -20V
1
V
GS
= -10V
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
2.5
1.5
0.5
80
-40
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
2.0
1.0
0
0
40
120
160
O
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
GS
= -10V, I
D
= -1.5A
IRF9510
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PDF描述
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