參數(shù)資料
型號： IRF7807A
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： Chip-Set for DC-DC Converters
中文描述： 芯片組用于DC - DC轉(zhuǎn)換器
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 165K
代理商： IRF7807A
IRF7807D1
6
www.irf.com
MOSFET , Body Diode & Schottky Diode Characteristics
Fig. 13
- Typical Values of
Reverse Current Vs. Reverse Voltage
Fig. 12
- Typical Forward Voltage Drop
Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
Reverse Voltage - VR (V)
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
R
125°C
100°C
Tj = 150°C
75°C
50°C
25°C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Forward Voltage Drop - VF ( V )
0.1
1
10
100
I
Tj = 125°C
Tj = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7807D2 MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7831 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF8113 Power MOSFET
IRF830A HEXFET Power MOSFET
IRF830 TMOS Power FET N-Channel Enhancement Mode(TMOS N-溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7807AHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
IRF7807APBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807ATR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7807ATRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807D1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / SCHOTTKY DIODE
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