參數(shù)資料
型號： IRF8113
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 207K
代理商： IRF8113
www.irf.com
1
1/5/04
IRF8113
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
5.6m @V
GS
= 10V
Notes
through are on page 10
Benefits
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in Networking
Systems
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
Max.
30
17.2
13.8
135
2.5
1.6
± 20
-55 to + 150
0.02
V
DSS
30V
Qg Typ.
24nC
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PDF描述
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IRF8113GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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